Studium heteroepitaxe kovů na površích Si pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM)

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 1 (SGA02002GA-ST)

Hlavní účastníci

Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

STM study of metal heteroepitaxy on Si surfaces

Anotace anglicky

We propose a study of initial stages of metal heteroepitaxy and following growth of several monolayers on silicon surfaces by scanning tunneling microscopy (STM). The new project develops substantially the previous one - 202/97/1109. Investigation of den

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

—

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Pomocí skanovacího tunelového mikroskopu bylo docíleno přímé sledování difuse atomů Ag na povrchu vzorku křemíku Si(111) během jeho ohřevu. Výsledky studia umožnily určení difusních parametrů. Proces růstu epitaxní vrstvy byl rovněž modelován kinetickou

Zahájení řešení

1. 1. 2001

Ukončení řešení

1. 1. 2003

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2004/GA0/GA04GA/U/N/A:11

Datum dodání záznamu

30. 5. 2008

Celkové uznané náklady

2 192 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

993 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

1 198 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč