Vše
Vše

Co hledáte?

Vše
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Studium velmi tenkých Bi2Te3 vrstev připravených laserovou ablací a jejich modifikace pomocí rastrovacího tunelového mikroskopu (STM)

Cíle projektu

Kvalita termoelektrických materiálů je dána jejich koeficientem termoelektrické účinnosti (Z), který je proporcionální čtverci Seebeckova koeficientu a elektrické vodivosti a nepřímo úměrný tepelné vodivosti. Pro známé termoelektrické materiály maximum ZT (při T=300K) dosahuje hodnoty 1. Zlepšení ZT pro daný materiál je možné, když se na materiálu vytvoří nízkodimensionální struktury jako je supermřížka, mnohonásobná vrstevnatá struktura tvořená mnoha střídajícími se tenkými vrstvami nebo kvantové dráty. Dvoudimensionální systém může být rovněž realizován zvlněním na velmi tenké vrstvě vykazující kvantové efekty. Budeme studovat tenké vrstvy Bi2Te3 připravené laserovou ablací a to při různém následujícím teplotním zpracování. Na vrstvách bude sledovánaelektrická vodivost, Seebeckův koeficient a Hallova konstanta v závislosti na teplotě. Topografie vrstev bude sledována pomocí STM. Složení a krystalická struktura vrstev budou určovány na vybraných vzorcích pomocí vlnově disperzního

Klíčová slova

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 1 (SGA02002GA-ST)

  • Hlavní účastníci

    Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Study of very thin Bi2Te3 films prepared by laser ablation and their modification by scanning tunneling microscope(STm)

  • Anotace anglicky

    The quality of the thermoelectric material is given by its figure of merit (Z) which is proportional to the square of Seebeck coeficient, electrical conductivity and non-proportional to its thermal conductivity. For known thermoelectric materials maximumZT (T is the temperature) is about 1 at 300K. Improvement of ZT for a given material is possible when low dimensional structures as superlattice, many layered thin film structure or quantum wires are used. Two dimensional systems can be also realised bycorrugation of the quantum thin films. We will study Bi2Te3 thin films prepared by laser ablation with the following different annealing. The conductivity, Seebeck coefficient and Hall constant will be measured as the function of the temperature. Topography of films will be studied by STM. The composition and crystalinity will be determined by wavelength dependence X-ray analysis(WDX) and by X-ray diffraction, respectively on selected samples. We will try to modify the surface of the continual

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - vedlejší obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory
    (dle převodníku)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Na  tenkých termoelektrických vrstvách připravených laserovou ablací z Bi2Te3 terčíku bylo dosaženo ZT=2,56 a to na pouhé jednoduché vrstvě, což je výsledek srovnatelný s publikovanými výsledky na supermřížkách a více než pětkrát převyšuje ZT pro objemov

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2002

  • Ukončení řešení

    1. 1. 2004

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP/2005/GA0/GA05GA/U/N/B:7

  • Datum dodání záznamu

    2. 6. 2008

Finance

  • Celkové uznané náklady

    3 392 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    1 265 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    2 127 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč

Základní informace

Uznané náklady

3 392 tis. Kč

Statní podpora

1 265 tis. Kč

37%


Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

CEP

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Doba řešení

01. 01. 2002 - 01. 01. 2004