Příprava diamantových vrstev metodou MW PECVD a kontrola povrchových elektronických a bioaktivních vlastností

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 1 (SGA02002GA-ST)

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

MW PE chemical vapour deposition of diamond layers and study of electronic and biofunctional surface properties

Anotace anglicky

Microwave plasma assisted chemical vapour deposition (MW PE-CVD) will be used for heteroepitaxial and homoepitaxial growth of diamond layers. Heteroepitaxial wafers of 5 cm in diameter of optical quality will be grown. Homoepitaxial growth on diamond substrates will be studied both theoretically and experimentally, including proces of nucleation and mechanism of epitaxial growth, aiming at preparation of atomically flat surfaces. The tailing-up of the substrates by overgroing the substrate boundary withepitaxial layer will be studied with a goal to prepare the large single crystal CVD diamond layers. Phosphorus and other n-type doping will be carried out. We will study the origin of surface hole conductivity in diamond layers terminated with the hydrogen aiming at future biosensing applications. Electric conductivity in doped epitaxial layers will be investigated too. Various optical spectroscopic methods (photothermal deflection spectroscopy, constant photocurrent method, photocurrent detected

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Úkol č. 1: Byl úspěšně zvládnut technologický proces deposice polykrystalických vrstev metodou MWPE CVD, zavedli jsme nukleaci vrstev in situ přímo v našem reaktoru s reprodukovatelně vysokou hustotou nukleačních center 3-4 x 1010 cm-2. Toto pak umožnilo

Zahájení řešení

1. 1. 2002

Ukončení řešení

1. 1. 2004

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2005/GA0/GA05GA/U/N/B:7

Datum dodání záznamu

2. 6. 2008

Celkové uznané náklady

8 060 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

2 515 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

5 545 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč