Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Studium polovodičových detektorů pracujících při pokojové teplotě

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 6 (SGA02004GA-ST)

  • Hlavní účastníci

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Investigation of semiconductor detectors operated at room temperature

  • Anotace anglicky

    The aim of the project is to investigate the little understood phenomenom of charge sharing and quality determination of composite semiconductor detectors including both simple diodes and segmented strip and pixel detector structures. The detectors willbe provided in frame of the RD50 and Medipix CERN projects. The proposed project will be realised through systematic composite tests of semiconductor detectors. Important tasks are the observation of the spectrometric signal from two electrodes, the measurement of current signals determining the time characteristic of charge collection, narrow beam sample scanning and DLTS measurements of single pixel elements (segments). For the tests, monochromatic radiation sources (alpha, gamma, X-ray) will be available. The proposed project seeks to establish the correlations between the determined inhommogenities in detection efficiency and the inhommogenities in the material, in admixtures and in the contact quality. It is expected that narrow beam scanning

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače

  • CEP - vedlejší obor

    BF - Elementární částice a fyzika vysokých energií

  • CEP - další vedlejší obor

    JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10303 - Particles and field physics<br>10304 - Nuclear physics<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Tento projekt byl zaměřen na studium polovodičových detektorů ionizujícího záření, které byly vyrobeny z Si, GaAs, CdTe a BN. Výzkum Si detektorů byl orientován zejména na detektory vyrobené tzv. 3D (resp. Semi-3D) technologií (dále jen 3D detektory), kt

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2004

  • Ukončení řešení

    1. 1. 2006

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP07-GA0-GA-U/03:2

  • Datum dodání záznamu

    16. 10. 2007

Finance

  • Celkové uznané náklady

    597 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    597 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč