Studium atomárních procesů při růstu kovových nanostruktur na površích Si(100) pomocí in-vivo STM

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

202/06/0049

Název projektu anglicky

In-vivo STM study of atomically resolved processes at growth of metal nanostructures on Si(100) surfaces

Anotace anglicky

We propose detailed atomic-scale study of heteroepitaxial growth of metals on Si surfaces based on using an advanced experimental approach: direct observation of the surface processes (in-vivo) during deposition by means of scanning tunneling microscopy(STM). The approach provides information on dynamics of microscopic processes which can not be obtained by in-situ STM measurements used so far. Changing rates of the processes by control of growth conditions (deposition rates, substrate temperature) allows to evaluate the role of mechanisms involved. Sequences of STM images will be utilized for growth models, which will be verified using kinetic Monte Carlo (KMC) simulations of growth characteristics. Our study will concentrate on the surface Si(100)-2×1 and metals which create 1D structures: (a) investigation growth of single metals (Al, In, Sn) with the focus on explanation of mechanisms on atomistic level, and comparison of trends for different metals, (b) exploring formation of rows

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

BE - Teoretická fyzika

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)<br>10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Projekt se zabýval růstem a elektronovou strukturou 1D atomárních řetízků kovů na povrchu Si(100)-2×1 pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM), spektroskopie (STS) a kinetických Monte Carlo (KMC) simulací. Byl objeven a kvantitativně popsán vliv C-de

Zahájení řešení

1. 1. 2006

Ukončení řešení

31. 12. 2008

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

25. 4. 2008

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP09-GA0-GA-U/02:2

Datum dodání záznamu

22. 10. 2009

Celkové uznané náklady

1 605 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 539 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

98 tis. Kč