Samokompenzace defektů v CdTe
Cíle projektu
Spolehlivá příprava CdTe vhodného pro výrobu detektorů vyžaduje řešení dvou zjevně rozporných požadavků nízké hustoty volných nosičů a současně vysokého součinu jejich pohyblivosti a doby života. Tento cíl nelze dosáhnout bez výrazné redukce pasťových hladin a silné kompenzace mělkých defektů v krystalu. I v nejkvalitnějších materiálech přesahuje koncentrace mělkých defektů nejméně 100x maximální dovolenou koncentraci hlubokých hladin. Historická otázka, jak kompenzovat mělké defekty pomocí hlubokých defektů s mnohem nižší koncentrací je dosud nevyřešena. V tomto projektu plánujeme studovat samokompenzaci defektů v CdTe s cílem nalézt postup k přípravě detektorového CdTe a objasnit princip, na jehož základě detektor vzniká. Projekt je založen jak na teoretických výpočtech defektní struktury, tak na experimentech sestávajících z galvanomagnetických měření prováděných in-situ během vysokoteplotních temperací a z nízkoteplotních elektrických a optických měření temperovaných vzorků. Současné použití
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 11 (SGA02008GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
202/08/0644
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Defect self-compensation in CdTe
Anotace anglicky
The reliable preparation of detector-grade CdTe requires solving apparently contradictory demands consisting in a low free carrier density and the high carrier mobility-lifetime product. This goal cannot be reached without significant reduction of trapping centers and simultaneous strong compensation of shallow defects in the crystal. Even in the best quality materials the density of shallow defects at least 100x exceeds maximum allowed deep level density. Old question, how to compensate uncompensated shallow defects with much lower density of deep levels remains unsolved till now. In this project we plan the study of defect self-compensation in CdTe with aim to find a technique to prepare detector-grade CdTe and clarify the principle, which is the cause of the detector formation. The project is based both on theoretical modeling of defect structure and on experiment consisting in galvanomagnetic measurements performed in-situ during high-temperature annealing and on low temperature
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
V průběhu řešení celého projektu bylo dosaženo následujících cílů: 1. Byly připraveny polovodičové detektory záření. 2. V kvalitních semiizolačních vzorcích vhodných pro detektory záření gama není přítomna hluboká příměsová hladina, která by kompenzoval?
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2008
Ukončení řešení
31. 12. 2010
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
16. 4. 2010
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP11-GA0-GA-U/03:3
Datum dodání záznamu
9. 2. 2015
Finance
Celkové uznané náklady
2 457 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
2 457 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
2 457 tis. Kč
Statní podpora
2 457 tis. Kč
100%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Doba řešení
01. 01. 2008 - 31. 12. 2010