Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 12 (SGA02009GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
202/09/0676
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Impact of capping layers on electronic states in quantum dots
Anotace anglicky
The aim of the grant proposal is to determine the impact of the QD overgrowth process on the structure and electronic properties of buried InAs/GaAs QD systems prepared by MOVPE and emitting around 1.55 mm. InxGa1-xAs and GaAs1-ySby capping layers will be used to keep the emission wavelength around 1.55 mm by protecting the QDs from drastic size changes during their overgrowth. The relations between the In content of the InxGa1-xAs capping layer, the surface reconstruction and the photoluminescence (PL)will be analyzed and the growth parameters optimized to achieve the desired wavelength and a high PL intensity. In the case of the GaAs1-ySby capping, the aim is the same. More over, the transition between the (spatially) direct band gap alignment (InAsQD /GaAs) and the indirect alignment (InAs QD/GaAs1-ySby, y > 14 %) will be studied both theoretically (using the envelope function formalism) and experimentally. The results will provide the Sb concentration necessary for obtaining a high intensity ofthe ground state PL. In addition, free QDs and QDs with thin SRLs will be covered by metallic overlayers - we expect changes of the electronic states of the QDs, depending on the work function of the metal. The metallization will also allow us to study the electric-field dependence of the PL and the electric properties of the heterostructure with the Schottky contact between the overlayer and the SRL.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
BH - Optika, masery a lasery
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Řešení projektu proběhlo podle plánu jak z hlediska odborného tak i z hlediska čerpání finančních prostředků.
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2009
Ukončení řešení
31. 12. 2011
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
16. 4. 2011
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP12-GA0-GA-U/02:2
Datum dodání záznamu
2. 5. 2016
Finance
Celkové uznané náklady
3 094 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
3 094 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč