Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 12 (SGA02009GA-ST)

  • Hlavní účastníci

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    202/09/0676

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Impact of capping layers on electronic states in quantum dots

  • Anotace anglicky

    The aim of the grant proposal is to determine the impact of the QD overgrowth process on the structure and electronic properties of buried InAs/GaAs QD systems prepared by MOVPE and emitting around 1.55 mm. InxGa1-xAs and GaAs1-ySby capping layers will be used to keep the emission wavelength around 1.55 mm by protecting the QDs from drastic size changes during their overgrowth. The relations between the In content of the InxGa1-xAs capping layer, the surface reconstruction and the photoluminescence (PL)will be analyzed and the growth parameters optimized to achieve the desired wavelength and a high PL intensity. In the case of the GaAs1-ySby capping, the aim is the same. More over, the transition between the (spatially) direct band gap alignment (InAsQD /GaAs) and the indirect alignment (InAs QD/GaAs1-ySby, y > 14 %) will be studied both theoretically (using the envelope function formalism) and experimentally. The results will provide the Sb concentration necessary for obtaining a high intensity ofthe ground state PL. In addition, free QDs and QDs with thin SRLs will be covered by metallic overlayers - we expect changes of the electronic states of the QDs, depending on the work function of the metal. The metallization will also allow us to study the electric-field dependence of the PL and the electric properties of the heterostructure with the Schottky contact between the overlayer and the SRL.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Řešení projektu proběhlo podle plánu jak z hlediska odborného tak i z hlediska čerpání finančních prostředků.

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2009

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2011

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    16. 4. 2011

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP12-GA0-GA-U/02:2

  • Datum dodání záznamu

    2. 5. 2016

Finance

  • Celkové uznané náklady

    3 094 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    3 094 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč