Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vázané elektronové stavy v polovodičích A III B V způsobené defekty

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

  • Hlavní účastníci

    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

  • Číslo smlouvy

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Bound electronic states due to defects in III - V semiconductors

  • Anotace anglicky

    The proposal project aims at the systematic study of bound electronic states induced by impurities, defects, surfaces and edges. Individual and collective electronic properties of these localized states in 3D and 2D systems will be investigated by transport and magnetotransport methods at atmospheric and high hydrostatic pressure in a wide temperature range (1.2 - 400 K) It turns out that of particular importance in this research is the application of high hydrostatic pressure which helps one to revealthe nature of processes controlled by the bound states. The results obtained will serve for further development of theory as well as for improvement in technology.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Podařilo se objasnit vliv lokalizovaných stavů spojených s defekty ve tři a dvoudimenzionálních strukturách na bázi sloučenin typu III-V díky přesné charakterizaci materiálů, které se podařilo dosáhnout vylepšováním diagnostických metod na bázi transport

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 1996

  • Ukončení řešení

    1. 1. 1998

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP/1999/GA0/GA09GA/V/6:6

  • Datum dodání záznamu

Finance

  • Celkové uznané náklady

    1 818 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    972 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč