Magnetotransport v Si (100) MOSFETech s dvěma obsazenými subpásy při teplotách pod 4,2 K

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

—

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

—

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Magnetotransport in Si(100) MOSFET's with two occupied subbands at temperatures below 4.2 K

Anotace anglicky

Research in the field of 2D electron systems was opened by the first observation of a two-dimensional (2D) electron gas at a n-type inversion layer on a (100) surface of p-type Si. In spite of almost thirty years of intensive research, several problems still remain unsolved, or only partly solved. This project is concentrated on an experimental and theoretical investigation of Si MOSFET's with either very high or very low concentration of carriers. In the high-concentration limit, with two electron subbands occupied, the main aim is to study the coexistence of two types of carriers with very different mobilities and effective masses. In the low-concentration limit, the temperature dependence of the electron mobility will be measured at very low temperatures, to investigate the possible Wigner crystallization of an electron gas. Both types of measurement will employ top quality samples, with the mobility >2m2/Vs, in which the concentration of carriers can be varied in magnitude by three orders, and wil

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

BE - Teoretická fyzika

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)<br>10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Projekt se zabýval transportními vlastnostmi struktur MOSFET v Si (001) s vysokou koncentrací nábojových nositelů. Studovaná problematika je velmi aktuální nejen v rámci základního výzkumu ale i pro možné aplikace v MOSFET Si-technologii. Ukázalo se, že

Zahájení řešení

1. 1. 1996

Ukončení řešení

1. 1. 1998

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/1999/GA0/GA09GA/V/6:6

Datum dodání záznamu

—

Celkové uznané náklady

3 152 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 864 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč