Nanostrukturní polovodičové materiály - zdokonalení technologie, cílené změny elektronických a optických vlastností
Cíle projektu
Projekt je zaměřen na pochopení základních elektronických a optických vlastností nových nízkodimenzionálních polovodičových materiálů, na posouzení jejich využitelnosti v optoelektronice a na rozvoj technologie přípravy. Budou studovány dva typy polovodičových struktur: (1) světlo emitující křemíkové struktury, zejména amorfní hydrogenizovaný Si silně ředěný heliem, (2) nanokrystaly polovodičů II-VI (CdS, ZnS) v SiO2 matrici připravené metodou sol-gel. Hlavní cíle výzkumu jsou: (a) objasnění mechanismůexcitace a deexcitace, zejména machanismu fotoluminiscence a elektroluminiscence v obou typech nanostruktur (objasnění role kvantového rozměrového efektu, center na povrchu nanokrystalů a na jeho rozhraní s matricí i role interakcí elementárních exitacís fotony), (b) zhodnocení kvantové účinnosti elektroluminiscence a velikosti optického zisku v uvedených materiálech a upravení technologie přípravy tak, aby byly tyto (pro aplikace důležité) parametry optimalizovány. Experimentální
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
—
Hlavní účastníci
Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta
Druh soutěže
—
Číslo smlouvy
—
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Nanostructured semiconductor materials-improvement of technology, electronic and optical properties
Anotace anglicky
The project is oriented to the understanding of basic electronic and optical properties of novel lowdimensional semiconductor materials as well as to the evaluation of their application capability in optoelectronics. Two types of nanostructured materialswill be studied: i) light-emitting Si-based structures, mainly amorphous hydrogenated Si strongly diluted with He; ii) nanocrystals of II-VI semiconductors (CdS, ZnS) in the SiO2 matrix prepared by the sol-gel method. The main goals are: i) to elucidatemechanisms of excitation and deexcitation, especially, the mechanism of photoluminescence and electroluminescence in both types of nanostructures (the role of the quantum confinement effect, surface and interface centres and electron (exciton)-phonon interactions) ii) to optimize the quantum efficiency and stability of electroluminescence as well as the optical gain of studied materials with the feedback to nanomaterial preparation technology. Experimental methods include: electron microscopy and X-r
Vědní obory
Kategorie VaV
—
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
CA - Anorganická chemie
CEP - další vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
10402 - Inorganic and nuclear chemistry
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Projekt byl zaměřen na přípravu nanokrystalických polovodičových materiálů, zkoumání jejich fotoluminiscence a pochopení jejich mechanizmu. Zvláštní důraz byl kladen na posouzení jejich použitelnosti pro optoelektronické aplikace. Úspěšnost řešení projek
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 1998
Ukončení řešení
1. 1. 2000
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
—
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP/2001/GA0/GA01GA/U/N/9:4
Datum dodání záznamu
—
Finance
Celkové uznané náklady
2 857 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
2 027 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
2 857 tis. Kč
Statní podpora
2 027 tis. Kč
70%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Doba řešení
01. 01. 1998 - 01. 01. 2000