Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Příprava a charakterizace polovodičových epitaxních MOVPE vrstev a struktur na bázi GaSb

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

  • Hlavní účastníci

    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

  • Číslo smlouvy

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Preparation and characterization of epitaxial semiconductor MOVPE layers and structure based on GaSb

  • Anotace anglicky

    The aim of the project is in characterising and optimising the growth of GaSb based semiconductor layers from different precursors using Metal}{lang1029 -}{Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE). These materials may be suitable namely for the preparationof detectors and laser diodes emitting in the mid-infrared range. As precursors, the following materials will be used: trimethylgallium (TMGa) or triethylgallium (TEGa), arsin (AsH}{sub 3}{) or tertiarybutylarsin (TBAs), trimethylaluminium (TMAl) or tristertiarybutylaluminium (TTBAl) and trisdimethylaminoantimony (TDMASb) or triethylantimony (TESb), while the suitability of using the given precursors will be discussed and compared from the viewpoint of mutual compatibility during growth as well as fromthe viewpoint of their thermal (temperature) decomposition and thus also the quality of the layer prepared. We can expect that the layers, prepared from newly developed precursors, which thanks to weaker chemical bonds of metal-organic radical show

Vědní obory

  • Kategorie VaV

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - další vedlejší obor

    CI - Průmyslová chemie a chemické inženýrství

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering<br>20401 - Chemical engineering (plants, products)<br>20402 - Chemical process engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Dílčí zpráva je považována i za závěrečnou, protože řešitelka změnila pracoviště a grant byl ukončen. Předložená zpráva i publikace zaslaná k tisku dokumentuje splnění cíle projektu pro daný časový úsek řešení grantu. Finanční prostředky na mzdy byly niž

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 1998

  • Ukončení řešení

    1. 1. 2001

  • Poslední stav řešení

    S - Zastavený (předčasně ukončený) víceletý projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP/2001/GA0/GA01GA/U/N/9:4

  • Datum dodání záznamu

Finance

  • Celkové uznané náklady

    656 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    558 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč