Laserově iniciovaná chemická depozice Si2O a Si2O:H filmů z plynné fáze. Studium přípravy a vlastnostní nových polovodičových materiálů

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

—

Hlavní účastníci

Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

—

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

IR laser induced chemical vapour deposition of Si2O and Si2O :H films.Studies on preparation and properties of novel semiconductor materials.

Anotace anglicky

The research will address laser induced decomposition of disilylether (DSE) and chemical vapour deposition (CVD) of yet unreported Si2O and Si2O:H materials. The laser decomposition of DSE will be initiated by infrared radiation of TEA and CW CO2 lasersas multiphoton dissociation and homogeneous pyrolysis. Physical properties of the Si2O and Si2O:H materials as well as their chemical reactions will be studied. The examination of the affect of the decomposition mode of DSE under different conditions, and studies of the deposited materials will anable to optimise the process of CVD.

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

CEP - vedlejší obor

JH - Keramika, žáruvzdorné materiály a skla

CEP - další vedlejší obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10403 - Physical chemistry<br>20502 - Paper and wood<br>20503 - Textiles; including synthetic dyes, colours, fibres (nanoscale materials to be 2.10; biomaterials to be 2.9)<br>20504 - Ceramics<br>21001 - Nano-materials (production and properties)<br>21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Záměry tohoto experimentálního projektu byly v zásadě splněny. Byly získány kvalitativně nové informace o podmínkách laserového fotolytického deponování filmů Si/C/O, resp. Si2O:H a o charakteristikách těchto filmů. Navíc byla studována fotolýza disiloxa

Zahájení řešení

1. 1. 1996

Ukončení řešení

1. 1. 1998

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/1999/GA0/GA09GA/V/6:6

Datum dodání záznamu

—

Celkové uznané náklady

2 647 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 705 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč