Transport elektrického náboje v heterostrukturách polovodičových oxidů s halogenidy mědi
Cíle projektu
Projekt se zabývá přípravou a teoretickým studiem opticky transparentních heteropřechodů polovodičů na bázi halogenidů mědi, zejména CuI a CuBr, které jsou polovodiče typu p s přímým přechodem zakázaného pásu vyznačující se vysokou pohyblivostí děr ve srovnání se známými oxidy typu p, a oxidů kovů typu n. Mezi různými materiály je dobrým kandidátem na vytvoření takovéto heterostruktury oxid zinečnatý s širokým aplikačním potenciálem v optoelektronice. Zvláštním případem bude heterostruktura vytvořená na nanotyčinkách ZnO. Studován bude zejména přenos elektrického náboje na rozhraní těchto heterostruktur. Nedílnou součástí projektu je detailní studium vlivu strukturních poruch (vakancí jodu a mědi) a vliv dopantů na změny v pásové struktuře, které se projeví v elektronových transportních jevech. Závěrečná část projektu bude zaměřena na zvýšení environmentální stability halogenidů a přípravu funkčních struktur – transparentních diod, senzorů a tenkovrstvých tranzistorů s využitím znalostí získaných během výzkumu heterostruktur.
Klíčová slova
pn heterojunctiontransparent semiconductordiodethin film transistorCoper halidesZnOZnO nanorodsCuICuBrPulsed Laser Deposition
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
SGA0202300001
Hlavní účastníci
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
23-05915S
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Electric charge transport in heterostructures of semiconductor oxides with copper halides
Anotace anglicky
The project deals with the preparation and theoretical study of optically transparent semiconductor heterojunctions based on copper halides, especially CuI and CuBr, which are direct band gap p-type semiconductors characterized by high hole mobility compared to known p-type oxides, and n-type metal oxides. Zinc oxide is a good candidate for creating such heterostructures with a broad application potential in optoelectronics. Particular attention will be devoted to the heterostructure formed on ZnO nanorods. The transfer of electric charge at the interface of these heterostructures will be studied. An integral part of the project is a detailed study of the influence of structural defects (iodine and copper vacancies) and dopants on changes in the band structure, reflected in electron transport phenomena. The final part of the project focuses on increasing the environmental stability of halides and the preparation of functional structures, such as transparent diodes, sensors, and thin-film transistors, using knowledge gained during the research of heterostructures.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
OECD FORD - hlavní obor
20201 - Electrical and electronic engineering
OECD FORD - vedlejší obor
20501 - Materials engineering
OECD FORD - další vedlejší obor
20506 - Coating and films
CEP - odpovídající obory
(dle převodníku)JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
JG - Hutnictví, kovové materiály
JK - Koroze a povrchové úpravy materiálu
JP - Průmyslové procesy a zpracování
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2023
Ukončení řešení
31. 12. 2025
Poslední stav řešení
K - Končící víceletý projekt
Poslední uvolnění podpory
29. 2. 2024
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP25-GA0-GA-R
Datum dodání záznamu
21. 2. 2025
Finance
Celkové uznané náklady
10 458 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
9 762 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
696 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Uznané náklady
10 458 tis. Kč
Statní podpora
9 762 tis. Kč
0%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
OECD FORD
Electrical and electronic engineering
Doba řešení
01. 01. 2023 - 31. 12. 2025