Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku
Cíle projektu
Předkládaný projekt je zaměřen na růst tenkých grafenových vrstev na substrátech monokrystalického SiC a na studium procesů, které vedou k přeměně kontaktních struktur na bázi Ni/SiC ze Schottkyho přechodu do ohmického kontaktu. Ni/SiC struktura spojujedvě navrhované problematiky do jednoho komplexu, protože tato struktura se používá jako ohmický kontakt a zároveň může být zdrojem grafenové vrstvy. V projektu je plánováno studium procesů růstu grafenu prostřednictvím žíhání již zmíněné struktury Ni/SiCza nízkých teplot a grafitizací SiC v argonové atmosféře za vysoké teploty. Grafenové vrstvy budou analyzovány Ramanovou spektroskopií, AFM mikroskopií a XPS analýzou. Dále budeme zkoumat možnosti tvarování grafenových vrstev skenovacími hrotovými metodami a elektronovou litografií. Další část výzkumu bude orientována na studium VLS epitaxního růstu karbidu křemíku a na aplikaci tohoto růstu v přípravě ohmických kontaktních struktur.
Klíčová slova
carbongraphenesiliconcarbideAFMRamanspectroscopyelectronlithography
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 14 (SGA02011GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
P108-11-0894
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Growth and processing of graphene layers on silicon carbide
Anotace anglicky
The project is targeted to the growth of thin graphene layers on SiC monocrystaline substrates and to the study of processes which lead to the conversion of Ni-type contact structures on SiC from Schottky to ohmic behaviour. The Ni/SiC structure connectsboth proposed fields of study into one. The structure serves for the contact metallization and it can be the source of graphene layer as well. We plan to study the processes of grephene growth by means of the low temperature annealing of the mentioned Ni/SiC structure and by the graphitization of SiC in an argon atmosphere at high temperature. The graphene layers will be analyzed by Raman spectroscopy, AFM microscopy and XPS analysis. We will analyze the possibilities of graphene nanopatterning by means of scanning probe methods and by electron beam lithography. The other part of research will be oriented to the study of VLS epitaxial growth of silicon carbide and to the application of the growth in the preparation of ohmic contact structures.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
CA - Anorganická chemie
CEP - vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - další vedlejší obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10402 - Inorganic and nuclear chemistry
20201 - Electrical and electronic engineering
20502 - Paper and wood
20503 - Textiles; including synthetic dyes, colours, fibres (nanoscale materials to be 2.10; biomaterials to be 2.9)
21001 - Nano-materials (production and properties)
21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
V rámci projektu byla popsána a publikována řada zajímavých výsledků o přípravě a charakterizaci grafenových vrstev na karbidu křemíku. Cíle projektu byly splněny. Výsledky řešení projektu jsou soustředěny do 6 publikací Jimp. Projekt přispěl k výchově ?
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2011
Ukončení řešení
31. 12. 2014
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
18. 4. 2014
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP15-GA0-GA-U/01:1
Datum dodání záznamu
22. 5. 2015
Finance
Celkové uznané náklady
4 916 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
4 916 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Uznané náklady
4 916 tis. Kč
Statní podpora
4 916 tis. Kč
0%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
CA - Anorganická chemie
Doba řešení
01. 01. 2011 - 31. 12. 2014