Formování heterovalentních rozhraní: kombinované studium GaP/Si heterostruktur metodou fotoemise a ab initio DFT výpočtů.

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Mezinárodní projekty

Veřejná soutěž

Mezinárodní projekty 13 (SGA0201800003)

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

18-06970J

Název projektu anglicky

Formation of heterovalent interfaces: A combined photoemission and ab initio DFT study of GaP/Si heterostructures

Anotace anglicky

Integration of III-V semiconductors on Si is desirable for new generation of microelectronic devices such as solar cells and photochemical diodes for high-efficient solar water-splitting. GaP is a potential candidate for transition layers from Si to other III-Vs heterolayers. Preparation of abrupt GaP/Si interfaces is the critical step in metalorganic chemical vapor deposition because it strongly impacts the quality of subsequently grown epitaxial films and the final device performance. Preparation of the abrupt GaP/Si interface remains an open question and interface formation mechanisms are not well understood at the atomic scale. In the bilateral project, a combination of optical in situ analysis, photoelectron spectroscopy techniques, depth profiling as well as ab initio density functional theory calculations will be carried out for an atomic-scale understanding of structural and electronic properties of GaP/Si heterointerfaces. The objective is to use the gained understanding for a specific control of the interfacial properties as desired by the final device concept.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

OECD FORD - hlavní obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

OECD FORD - vedlejší obor

—

OECD FORD - další vedlejší obor

—

CEP - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Mezinárodní projekt se věnoval experimentálnímu studiu heterovalentních rozhraní GaP/Si a GaP(As)/Si. Získané výsledky mohou být významné pro mikroelektroniku. Zvláště se podařilo kvalitně charakterizovat vlastnosti struktur, postup jejich narůstání a srovnání výstupů HAXPES a simulace. Ve spolupráci s německou stranou bylo publikováno pět článků ve významných časopisech s poděkováním projektu.

Zahájení řešení

15. 4. 2018

Ukončení řešení

31. 12. 2021

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

1. 4. 2021

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP22-GA0-GC-U

Datum dodání záznamu

29. 6. 2022

Celkové uznané náklady

3 170 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

3 018 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

144 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč