Vakance atomů kovů, jejich klastry a komplexy v nitridových polovodičích
Cíle projektu
Snahou tohoto projektu je nalézt závislost koncentrace vakancí ve vrstvách GaN, InGaN, AlGaN a AlInGaN na parametrech přípravy organokovovou epitaxí. Budou definovány technologické podmínky, za kterých dochází ke tvorbě klastrů vakancí a komplexů vakancí s jinými bodovými defekty. Hlavní metodou charakterizace defektů bude pozitronová anihilační spektroskopie. Porozumění vztahu mezi technologickými parametry depozice vrstev a vznikem vlastních defektů obsahujících vakance bude velmi důležité pro technologickou přípravu nitridových součástek i jejich životnost. Identifikace typu defektů a určení jejich koncentrace nám pomůže experimentálně určit vliv jednotlivých typů defektů na optické a elektrické vlastnosti nitridových polovodičů a jejich heterotruktur. V projektu bude dále prozkoumaná pozitrony indukovaná luminiscence a na jejím základě bude vyvinuta nová metoda charakterizace luminiscenčních center.
Klíčová slova
nitride semiconductorsGa vacancypositron anihilation spectroscopyMOVPEGaNInGaNAlGaN
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Mezinárodní grantové projekty hodnocené na principu LEAD Agency
Veřejná soutěž
—
Hlavní účastníci
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Druh soutěže
M2 - Mezinárodní spolupráce
Číslo smlouvy
22-28001K
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Metal vacancies, their complexes and clusters in nitride semiconductors
Anotace anglicky
The project aim is to find a link between the concentration of vacancies in GaN, InGaN, AlGaN and AlInGaN layers and technological parameters of metalorganic vapor phase epitaxy. Technological conditions for clustering of vacancies and binding of vacancies with other point defects will be defined. Variable energy positron annihilation spectroscopy will be employed as the main characterization method of vacancy-containing defects. Understanding of the relation between technological parameters of nitride epitaxy and vacancy concentration and clustering will be extremely important for technology improvement of nitride based devices and their lifetime. Identification of vacancy-containing defects and their concentration will help us to disclose the effect of particular native point defects, on optical and electrical properties of nitride layers and heterostructures. In addition, the phenomenon of positron-induced luminescence will be explored and developed into a real characterization method of defect-related luminescence.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
OECD FORD - hlavní obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
OECD FORD - vedlejší obor
—
OECD FORD - další vedlejší obor
—
CEP - odpovídající obory
(dle převodníku)BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2022
Ukončení řešení
31. 12. 2024
Poslední stav řešení
—
Poslední uvolnění podpory
29. 2. 2024
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP25-GA0-GF-R
Datum dodání záznamu
12. 3. 2025
Finance
Celkové uznané náklady
8 870 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
8 576 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
294 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
8 870 tis. Kč
Statní podpora
8 576 tis. Kč
96%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
OECD FORD
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Doba řešení
01. 01. 2022 - 31. 12. 2024