Difuzní rozptyl rtg záření na dislokacích v epitaxních vrstvách

Název projektu anglicky
Diffuse x-ray scattering from dislocations in epitaxial layers
Anotace anglicky
The proposed project will be devoted to experimental studies of dislocations in epitaxial thin films. We will focus mainly on diffuse x-ray scattering. Theoretical description of diffuse x-ray scattering from dislocations will be generalized for low-dimensional structures in order to obtain a method for determining the dislocation density and correlation of the dislocation positions. Measurements are carried out on epitaxial layers Ge on Si substrates and on constant and graded layers SiGe on Si. Information on the dislocation cofiguration obtained from the diffuse scattering measurement is compared with cross-sectional transmission electron microscopy.

Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Cílem projektu bylo nalézt vhodný teoretický popis difuzně rozptýleného rtg. záření od dislokací v heteroepitaxních tenkých vrstvách. Řešitel vycházel zejména z práce Krivoglazovy. Řešitel vycházel z obecného vztahu pro intenzitu difuzně rozptýleného rtg

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP07-GA0-GP-U/03:2
Datum dodání záznamu
16. 10. 2007

Podobné projekty(10)