Vše
Vše

Co hledáte?

Vše
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Difuzní rozptyl rtg záření na dislokacích v epitaxních vrstvách

Cíle projektu

V rámci navrhovaného projektu budou zkoumány dislokace v tenkých vrstvách. Jedná se o experimentální studium pomocí difuzního rtg rozptylu a vypracování teoretického popisu difuzního rozptylu na dislokacích v nízkodimenzionálních strukturách s cílem nalezení metody stanovení hustoty dislokací a korelace poloh dislokací různých typů. Měření bude prováděno na relaxovaných epitaxních polovodičových vrstvách Ge na Si a SiGe na Si s konstantní a proměnnou koncentrací Ge. Získané informace o rozložení dislokací bude srovnáno s transmisní elektronovou mikroskopií příčných řezů.

Klíčová slova

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Postdoktorandské granty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 7 (SGA02004GA1PD)

  • Hlavní účastníci

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Diffuse x-ray scattering from dislocations in epitaxial layers

  • Anotace anglicky

    The proposed project will be devoted to experimental studies of dislocations in epitaxial thin films. We will focus mainly on diffuse x-ray scattering. Theoretical description of diffuse x-ray scattering from dislocations will be generalized for low-dimensional structures in order to obtain a method for determining the dislocation density and correlation of the dislocation positions. Measurements are carried out on epitaxial layers Ge on Si substrates and on constant and graded layers SiGe on Si. Information on the dislocation cofiguration obtained from the diffuse scattering measurement is compared with cross-sectional transmission electron microscopy.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory
    (dle převodníku)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Cílem projektu bylo nalézt vhodný teoretický popis difuzně rozptýleného rtg. záření od dislokací v heteroepitaxních tenkých vrstvách. Řešitel vycházel zejména z práce Krivoglazovy. Řešitel vycházel z obecného vztahu pro intenzitu difuzně rozptýleného rtg

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2004

  • Ukončení řešení

    1. 1. 2006

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP07-GA0-GP-U/03:2

  • Datum dodání záznamu

    16. 10. 2007

Finance

  • Celkové uznané náklady

    553 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    553 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč

Základní informace

Uznané náklady

553 tis. Kč

Statní podpora

553 tis. Kč

100%


Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

CEP

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Doba řešení

01. 01. 2004 - 01. 01. 2006