Elektronová spektroskopie povrchů epitaxních polovodičových nanosystémů na bázi GaAs

Poskytovatel

Akademie věd České republiky

Program

Granty výrazně badatelského charakteru zaměřené na oblast výzkumu rozvíjeného v současné době zejména v AV ČR

Veřejná soutěž

Výzkumné granty 1 (SAV0-AB2001)

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Electron spectroscopy of epitaxial GaAs-based nanosystem surfaces

Anotace anglicky

Crystalline epitaxial GaAs based nanolayer systems (heterostructures, quantum wells and superlattices), representing artificial crystals with unique electric properties, will be prepared in ultrahigh vacuum by molecular beam epitaxy (MBE). Surface structure of reconstructed surfaces will be determined from the intensities of LEED beams. Surface electron structure of these systems will be investigated by the angular resolved photoelectron spectroscopy and by electron beams of very low energy (VLEEDand TCS) in the region of both the occupied and unoccupied electron states. Microscopical interpretation will be based on dynamical theoretical evaluation. Theoretical models predict significant systematic changes of electron surface states/resonances which affect the electric properties of nanolayer surfaces. These models will be tested experimentally on superlattices with varying surface termination.

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

—

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Epitaxí z molekulových svazků byly připraveny supermřížky na bázi GaAs s definovaně rekonstruovanými povrchy. Experimentální a teoretická analýza pomocí ARUPS ukázal možnosti ovlivňovat povrchovou strukturu změnou tloušťky povrchové vrstvy.

Zahájení řešení

1. 1. 2001

Ukončení řešení

1. 1. 2003

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2004/AV0/AV04IA/U/N/3:2

Datum dodání záznamu

13. 10. 2004

Celkové uznané náklady

4 712 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 163 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

3 549 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč