Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”
LTAIN19163

Vývoj nitridových součástek pro energeticky úspornou rychlou výkonovou elektroniku

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy

  • Program

    INTER-EXCELLENCE

  • Veřejná soutěž

    SMSM2019LTAIN

  • Hlavní účastníci

    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    MSMT-2066/2020-15

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Development of e-mode III-nitride devices for energy optimized agile power electronics

  • Anotace anglicky

    D1 - lateral heterostructure design D2 - delivered vertical device structure design D3 - design of contacts for vertical devices S1a,b –lateral HEMT device - transfer of heterostructure for final device processing to India S2a,b - vertical heterostructure delivered to Indian group for final device processing

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • OECD FORD - hlavní obor

    21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

  • OECD FORD - vedlejší obor

    20501 - Materials engineering

  • OECD FORD - další vedlejší obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

  • CEP - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus<br>JG - Hutnictví, kovové materiály<br>JJ - Ostatní materiály<br>JP - Průmyslové procesy a zpracování

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    V rámci práce na projektu byla vyvinuta a optimalizována HEMT struktura se spodní AIGaN bariérou, která zamezuje průchodu proudu podkladovými vrstvami. Byla optimalizována technologie přípravy GaN kanálu a navržena nová morfologie AIGaN/GaN rozhraní pro výšení pohyblivosti elektronů. Bylo experimentálně zjištěno, že snížením hustoty dislokací lze zvýšit pohyblivost elektronů v kanálu.

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2020

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2022

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    1. 3. 2022

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP23-MSM-LT-U

  • Datum dodání záznamu

    30. 6. 2023

Finance

  • Celkové uznané náklady

    4 084 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    4 084 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč