Reaktivní iontové leptání HgCdTe a příbuzných II-VI sloučenin

Název projektu anglicky
REACTIVE ION ETCHING OF HgCdTe AND RELATED II-VI COMPOUDS
Anotace anglicky
HgCdTe and CdZnTe single crystals will be prepared from the melt in the Institute of Physics, Charles University. These materials are used ad IR detectors and as substrates for other semiconductor technologies (e.g.for epitaxial layers). Fundamental electrical parameters of these materials (resistivity, concentration of majority carriers and their mobility) will be determined from electrical measurements in the temperature range 77-300K. Diffusion length of minority carriers will be evaluated from electron beam induced current (EBIC) and a correlation between basic electrical properties and diffusion length of minority carriers will be looked for.

Kategorie VaV
—
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Závěrečná zpráva

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP/2000/MSM/MSM0ME/U/4:1
Datum dodání záznamu
—

Cíle projektu