Vše
Vše

Co hledáte?

Vše
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”
ME 115

Reaktivní iontové leptání HgCdTe a příbuzných II-VI sloučenin

Cíle projektu

V rámci projektu budou ve Fyzikálním ústavu UK v Praze připraveny z taveniny monokrystaly HgCdTe a CdZnTe. Tyto materiály se používají jako detektory iz záření a jako substráty pro další polovodičové technologie (k přípravě epitaxních vrstev). Pomocí elektrických měření budou stanoveny fundamentální elektrické parametry danných materiálů (odpor, koncentrace majoritních nosičů proudu a jejich pohyblivost) v teplotním oboru 77-300K. Měřením indukovaných elektrických proudů (metoda EBIC) budou stanovenydifuzní délky minoritních nosičů v substrátech a bude určena korelace mezi základními elektrickými vlastnostmi a difúzními délkami minoritních nosičů.

Klíčová slova

CdZnTeHgCdTediffusion lengthEBICgalvanomagnetic propertiesRIE

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy

  • Program

    KONTAKT

  • Veřejná soutěž

  • Hlavní účastníci

    Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta

  • Druh soutěže

  • Číslo smlouvy

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    REACTIVE ION ETCHING OF HgCdTe AND RELATED II-VI COMPOUDS

  • Anotace anglicky

    HgCdTe and CdZnTe single crystals will be prepared from the melt in the Institute of Physics, Charles University. These materials are used ad IR detectors and as substrates for other semiconductor technologies (e.g.for epitaxial layers). Fundamental electrical parameters of these materials (resistivity, concentration of majority carriers and their mobility) will be determined from electrical measurements in the temperature range 77-300K. Diffusion length of minority carriers will be evaluated from electron beam induced current (EBIC) and a correlation between basic electrical properties and diffusion length of minority carriers will be looked for.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory
    (dle převodníku)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Závěrečná zpráva

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 1996

  • Ukončení řešení

    1. 1. 1999

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP/2000/MSM/MSM0ME/U/4:1

  • Datum dodání záznamu

Finance

  • Celkové uznané náklady

    561 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    377 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč

Základní informace

Uznané náklady

561 tis. Kč

Statní podpora

377 tis. Kč

67%


Poskytovatel

Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy

CEP

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Doba řešení

01. 01. 1996 - 01. 01. 1999