Výzkum dynamiky nosičů ve strukturách s křemíkovými nanokrystaly

Název projektu anglicky
Investigation of carrier dynamics in silicon nanocrystallite structures
Anotace anglicky
The use of bulk silicon (Si) in optical applications is limited by its narrow and indirect band gap. However, recent observations of visible photoluminescence in porous Si suggest that ultrafine Si particles (nanocrystallites) may become efficient lightemitters. The aim of the project is to contribute to the development of technologies of preparation of well-defined samples containing Si nanocrystallities (especially silicon-ion-implanted SiO2 films or recrystallized amorphous Si) , to unveil the mechanism(s) of the luminescence process and to indicate whether these materials could be used to fabrication of silicon technology-compatible active optoelectronic devices.

Kategorie VaV
—
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
BH - Optika, masery a lasery
CEP - další vedlejší obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>10402 - Inorganic and nuclear chemistry

Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Vývoj technologie solgel pro přípravu implantovaných SiO2 vrstev, objasnění mechanismu vzniku fotoluminiscence v těchto vrstvách.

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP/2001/MSM/MSM1ME/U/N/2:1
Datum dodání záznamu
—

Cíle projektu