Syntéza epitaxních vrstev GaN pomocí monoenergetických, hmotnostně selektivních svazků o velmi nízkých energiích
Veřejná podpora
Poskytovatel
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Program
KONTAKT
Veřejná soutěž
—
Hlavní účastníci
Vysoké učení technické v Brně / Fakulta strojního inženýrství
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
—
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Synthesis of GaN epitaxial layers by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies
Anotace anglicky
Synthesis of GaN epitaxial layers by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies
Vědní obory
Kategorie VaV
—
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
JR - Ostatní strojírenství
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20301 - Mechanical engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Bylo provedeno studium povrchů substrátů metodou STM, depozici vrstev Ga na substrátu Si(111) po různou depoziční dobu a za různých toků atomů Ga.
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 1999
Ukončení řešení
1. 1. 2001
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
—
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP/2002/MSM/MSM2ME/U/N/4:4
Datum dodání záznamu
23. 3. 2004
Finance
Celkové uznané náklady
2 225 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
1 645 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
180 tis. Kč