optický zisk a elektroluminiscence v křemíkových nanokrystalech

Název projektu anglicky
optical gain and electroluminescence in silicon nanocrystals
Anotace anglicky
Electronic band structure of silicon is not suitable for using silicon as a light emitter. Nowadays, optoelectronic light sources - predominantly semiconductor lasers - are therefore fabricated from another materials (e.g. GaAs). It would be very conveni, ent to have silicon laser that could be easily integrated into microlelectronic silicon chips. This would enable to fuse microelectronics and optoelectronics (photonics) on a single material base. It turns out that silicon in form of nanocrystals mightb, e suitable for fabricating such silicon laser. The project is devoted to the preparation and experimental investigation of silicon nanocrystals with respect to properties crucial for injection laser: optical gain, electric transport and electroluminescen, ce.

Kategorie VaV
—
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
BH - Optika, masery a lasery
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Ověřena přítomnost kladného optického zisku v nanokrystalech Si.Provedeno vyhledávací transportní a elektroluminiscenční měření

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP/2004/MSM/MSM4ME/U/N/4:2
Datum dodání záznamu
3. 6. 2008

Cíle projektu