Růst nanostruktur/heterostruktur polovodičů A3B5 na mřížkově nepřizpůsobených podložkách
Veřejná podpora
Poskytovatel
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Program
KONTAKT
Veřejná soutěž
KONTAKT 4 (SMSM200600ME1)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
1 016/2006-32
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
III-V nanostructures/heterostructures grown on lattice mismatechd substrates
Anotace anglicky
research of growth mechanisms , microstructure of electron and optical features of hetero - nanostructures of semiconductores A3B5 grown on lattice mismatched surfaces, corelation of structural and physical properties
Vědní obory
Kategorie VaV
NV - Neprůmyslový výzkum (aplikovaný výzkum s výjimkou průmyslového)
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Byla zkoumána příprava a vlastnosti porézních podložek InP,GaAs a GaP pro následný neizoperiodický epitaxní růst+studována tvorba přechod. vrstev InAs při velmi nízkých teplotách pro následný růst kvalit. vrstev InAs pěstov. metodou MOVPE na substr.GaAs.
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 3. 2006
Ukončení řešení
31. 12. 2007
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
26. 3. 2007
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP08-MSM-ME-U/02:2
Datum dodání záznamu
27. 10. 2008
Finance
Celkové uznané náklady
1 118 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
200 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
918 tis. Kč