Výzkum a vývoj zařízení a technologie pro multizonální čištění a syntézu monokrystalů polovodičů na bázi teluridu kademnatého pro optoelektronické aplikace

Poskytovatel

Technologická agentura ČR

Program

Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje ALFA

Veřejná soutěž

ALFA 3 (STA02013TA03)

Hlavní účastníci

Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

2013TA03010103

Název projektu anglicky

Research and development of apparatus and technology for zone purification and synthesis of single crystals of CdTe-based semiconductors for optoelectronic applications

Anotace anglicky

The main aim of the project is the preparation of high purity and high quality single crystals CdTe and CdZnTe for new generation of uncooled X-ray and gamma-ray detectors. The aim will be accomplished on the basis of original results of the research anddevelopment, which will be applied for the build up (construction) of unique laboratory equipment prepared as functional sample working on the principle of joint multiple zonal refinement and final synthesis of the single crystal. The apparatus will beused for verification of elaborated technology processes: Both refinement and synthesis will occur in closed quartz system at defined exactly tuned overpressure of more volatile component (Cd). Simultaneously with the monitoring of processes of refinement and crystal synthesis there will be executed the research and development of the passivation of high-purity silica glass, which will prevent the diffusion of residual impurities from the silica glass to the crystal. Patent applications of the technology or its steps are foreseen. The crystal growth will occur at defined conditions established by Cd pressure so as the same composition of liquid and solid phases is preserved. Such conditions suppress the formation of second phase single-component inclusions, which exclude the material from many applications, for example for preparation of monolithic matrix devices for medical applications. The equipment will enable us the cooling of the as grown crystal at conditions preserving stoichiometric composition of the crystal. Our existing experience with the preparation of CdTe and CdZnTe proves that if the technology of CdTe is mastered, the transfer to CdZnTe with the zinc content below 10%, as used in this project, does not represent significant complication. We thus often focus to the study of CdTe and even afterwards to the CdZnTe

Kategorie VaV

AP - Aplikovaný výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Cíl projektu byl dosažen a výsledky dle Smlouvy o poskytnutí podpory předloženy. Řešení projektu přispělo k cíli programu novými a originálními výsledky vhodnými k budoucí realizaci.

Zahájení řešení

1. 1. 2013

Ukončení řešení

31. 12. 2016

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

17. 2. 2016

Důvěrnost údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Systémové označení dodávky dat

CEP17-TA0-TA-U/04:1

Datum dodání záznamu

26. 7. 2017

Celkové uznané náklady

19 920 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

12 948 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

6 972 tis. Kč