Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”
TH02020926

Experimentální vývoj MOCVD aparatur pro vysokoteplotní růst A(III)B(V) polovodičů a aplikovaný výzkum růstu metal-nitridových epitaxních tenkých vrstev

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Technologická agentura ČR

  • Program

    Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON

  • Veřejná soutěž

    EPSILON 2 (STA02017TH02)

  • Hlavní účastníci

    SVCS Process Innovation s.r.o.

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    2017TH02020926

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Experimental development of MOCVD apparatus for high temperature growth of A(III)B(V) semiconductors and applied research of metal-nitrides epitaxial thin film growth

  • Anotace anglicky

    - development of MOCVD epitaxial growth apparatus for A(III)B(V) layers on substrates up to 100 mm diameter - testing of MOCVD epitaxial growth of indium-nitride layers using the existing "low temperature" MOCVD apparatus in CEITEC-VUT substrates up to 100 mm diameter - high-temperature MOCVD reactor design optimization based on specific metal-nitride layers growth(GaN, AlN, InN) to - development of applications in the field of optical structures and sensors - development of MOCVD epitaxial growth apparatus for A(III)B(V) layers on substrates up to 250 mm diameter - optimization of the MOCVD reactor design based on A(III)B(V) epitaxial layers growth with the substrates diameter up to 250 mm

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    VV - Experimentální vývoj

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

    BJ - Termodynamika

  • CEP - další vedlejší obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering<br>20303 - Thermodynamics

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Oponentní komise po posouzení výsledků řešení projektu a oponentních posudků, se shodla, že cíle projektu i výsledky projektu byly dosaženy v souladu se Smlouvou o poskytnutí podpory, proto lze konstatovat, že projekt uspěl podle zadání.

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2017

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2019

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    28. 2. 2019

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP20-TA0-TH-U/10:1

  • Datum dodání záznamu

    12. 5. 2021

Finance

  • Celkové uznané náklady

    35 026 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    20 987 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    15 375 tis. Kč