Laserové broušení karbidu křemíku pro vysoce výkonné polovodičové aplikace - LaPSiC

Název projektu anglicky
Laser grinding of silicon carbide for high-power semiconductor applications - LaPSiC
Anotace anglicky
The project objective is to utilize high energy/high power lasers for grinding the Silicon-Carbide (SiC) in semiconductor fabrication. The grinding of SiC surface is done with diamond wheels. Due to the hardness of SiC the removal rate is r low and removal stock is similar to the diamond wheel wear. New laser grinding will reduce process costs with promising potential for yield improvement, especially due to reducing wafer warpage. This goal requires collaboration among all the parties due to its complexity. onsemi as an end user guides the development by defining the application with know-how in SiC semiconductor processing, iDesyn and DEUV have knowledge of building the systems for SiC wafering. HiLASE has specific knowledge of high energy/power lasers and customization of lasers.

Kategorie VaV
AP - Aplikovaný výzkum
OECD FORD - hlavní obor
20501 - Materials engineering
OECD FORD - vedlejší obor
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
OECD FORD - další vedlejší obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
BH - Optika, masery a lasery<br>BM - Fyzika pevných látek a magnetismus<br>JG - Hutnictví, kovové materiály<br>JP - Průmyslové procesy a zpracování

Důvěrnost údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Systémové označení dodávky dat
CEP25-TA0-TQ-R
Datum dodání záznamu
15. 4. 2025

Podobné projekty(10)