Filtry
WISEGaN - New generation of InGaN layers, quantum wells and wires grown on vicinal GaN substrates for optoelectronics and photovoltaics (8F15002)
InGaN layers, quantum wells and wires are the most important parts of such photovoltaic cells. However, InGaN is very difficult to be grown because of low growth going to develop technology of InGaN epi-structures which wil...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2015 - 2018 •
- 3 480 tis. Kč •
- 3 480 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 10. 2015 - 31. 12. 2018
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Nitridové heterostruktury pro rychlou detekci ionizujícího záření (GA16-11769S)
prostorově separovány vlivem polarizace v InGaN kvantových jamách. Budou testovány tři...
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
- 2016 - 2019 •
- 3 053 tis. Kč •
- 2 981 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2016 - 29. 11. 2019
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (98%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Vakance atomů kovů, jejich klastry a komplexy v nitridových polovodičích (GF22-28001K)
Snahou tohoto projektu je nalézt závislost koncentrace vakancí ve vrstvách GaN, InGaN, AlGaN a AlInGaN na parametrech přípravy organokovovou epitaxí. Budou definovány technologické podmínky, za kterých dochází ke tvorbě klastrů vakancí a kom...
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2022 - 2024 •
- 8 870 tis. Kč •
- 8 576 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2022 - 31. 12. 2024
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (97%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Rychlá zobrazovací stínítka pro ionizující, UV, EUV záření (TH02010580)
Hlavním cílem projektu je vývoj technologií a zhotovení unikátních, dosud nedostupných rychlých (v řádu ns) stínítek z InGaN/GaN s vysokým rozlišením (v řádu desítek nm) pro zobrazení ionizujícího, RTG, UV záření a příprava funkčních vzorků....
BH - Optika, masery a lasery
- 2017 - 2020 •
- 17 322 tis. Kč •
- 10 230 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2017 - 31. 12. 2020
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (59%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Struktury pro rychlé, energeticky úsporné a logické obvody založené na GaN (GA25-18221S)
konceptu komplementárních HEMT struktur vytvořených pomocí InGaN krycí vrstvy...
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2025 - 2027 •
- 6 793 tis. Kč •
- 6 752 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2025 - 31. 12. 2027
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (99%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Nanoscintilátory na bázi ultrarychlých luminiscenčních struktur tvořených násobnými kvantovými jamami a komposity (GJ20-05497Y)
InGaN/GaN násobných kvantových jam, ZnO a CsPbBr3 nanostruktur perspektivních...
Nano-materials (production and properties)
- 2020 - 2023 •
- 4 347 tis. Kč •
- 4 347 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2020 - 30. 6. 2023
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
- 1 - 6 z 6