Filtry
Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice (GA104/03/0387)
MOVPE. Vážným problémem je např. zabudovávání india v roztocích AlInN a GaInN vrstev, např. vliv tlaku v technologii MOVPE. Navrhovaný projektje proto částečně technologií MOVPE na laboratorním technologickém zařízení, kte...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 - 2005 •
- 1 811 tis. Kč •
- 1 811 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2003 - 1. 1. 2005
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Příprava a charakterizace polovodičových epitaxních MOVPE vrstev a struktur na bázi GaSb (GA202/98/P254)
Navrhovaný projekt se týká přípravy, charakterizace a optimalizace růstu polovodičových vrstev na bázi Sb (binárních i ternárních) z různých prekurzorů pomocí MOVPE (Metal Organic Vapour Phase Epitaxy). Tyto materiály budou vhodné zejména pr...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1998 - 2001 •
- 656 tis. Kč •
- 558 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 1998 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (85%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Kvantové tečky v polovodičích III-V (GA202/99/1613)
Studium růstu a vlastností kvantových teček ("Quantum Dots" - QD) v polovodičových sloučeninách typu III-V, zejména InAs/GaAs. Příprava relativně velkého objemu materiálu obsahujícího QD metodou plynné epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1999 - 2001 •
- 1 700 tis. Kč •
- 1 330 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (78%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Moderní lasery na bázi Sb, připravené MOVPE technologií, pracující při pokojové teplotě ve střední IČ oblasti spektra (OK 312)
měření optických a transportních vlastností A3B5 laserových polovodičových struktur pro střední IČ oblast, měření strukturních parametrů, složení a morfologie, měření elektrických, výkonových světelných, tepelných a dalších parametrů součástek......
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1998 - 2000 •
- 8 000 tis. Kč •
- 3 000 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1998 - 1. 1. 2000
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (38%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Kvantové tečky pro detektory a jiné součástky (GAP102/10/1201)
Cílem tohoto projektu je řízená příprava polovodičových kvantových teček (QD) na bázi InAs/GaAs, později eventuálně i GaSb, metodou organokovové epitaxe (MOVPE). Důležité optické a elektrické vlastnosti struktur s QD jsou, vzhledem k srovnat...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2010 - 2012 •
- 953 tis. Kč •
- 953 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2010 - 31. 12. 2012
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Materiály a struktury pro elektronické a optoelektronické součástky připravované metodou MOVPE (GA102/99/0414)
V průběhu posledních šesti let se na pracovišti FzÚ rozvinula MOVPE technologická metoda přípravy tenkých extrémně tenkých vrstev a struktur z polovodičů AIIIBV, vč. příslušné základní diagnostiky. Na pracovištích spoluřešitelů byly vybudová...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 1999 - 2001 •
- 6 849 tis. Kč •
- 4 789 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (70%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách (GA202/09/0676)
Cílem projektu je určit vliv překrytí InAs/GaAs kvantových teček (QD) připravených metodou MOVPE s emisí ~ 1,55 mikronu na jejich morfologii a elektronové stavy. Optimalizací parametrů InGaAs a GaAsSb krycích vrstev bude minimalizován nežádo...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2009 - 2011 •
- 3 094 tis. Kč •
- 3 094 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2009 - 31. 12. 2011
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice (GA104/06/0642)
aspekty tenkých vrstev nitridů AIIIN dopovaných TM připravovaných metodou MOVPE prováděná za zvýšených teplot do GaN (AlN), (c) in-situ MOVPE depozice při využití......
CA - Anorganická chemie
- 2006 - 2008 •
- 3 039 tis. Kč •
- 3 039 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2006 - 31. 12. 2008
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Řízená příprava polovodičových kvantových teček (IAA100100719)
Cílem tohoto projektu je řízená příprava tvaru a velikosti polovodičových kvantových teček (QD) na bázi InAs, později i GaSb, metodou organokovové epitaxe (MOVPE). Důležité optické a elektrické vlastnosti struktur s QD jsou, vzhledem k srovn...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2007 - 2009 •
- 1 763 tis. Kč •
- 1 763 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2007 - 31. 12. 2009
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Rychlá zobrazovací stínítka pro ionizující, UV, EUV záření (TH02010580)
nitridových stínítek metodou MOVPE na různých substrátech. Tato rychlá stínítka budou...
BH - Optika, masery a lasery
- 2017 - 2020 •
- 17 322 tis. Kč •
- 10 230 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2017 - 31. 12. 2020
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (59%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
- 1 - 10 z 41