Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Filtry

5 523 (0,129s)

Projekt

Inženýrské aplikace fyziky mikrosvěta (EF16_019/0000766)

Si, CdTe a GaAs; vývoj potřebné elektroniky a SW), vývoj v oblasti scintilačních...

Nuclear related engineering; (nuclear physics to be 1.3);

  • 2018 - 2022
  • 196 293 tis. Kč
  • 196 293 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Výzkum a vývoj zařízení a technologie pro multizonální čištění a syntézu monokrystalů polovodičů na bázi teluridu kademnatého pro optoelektronické aplikace (TA03010103)

monokrystalů CdTe a CdZnTe pro novou generaci detektorů RTG- a gama- záření. K dosažení dosavadní zkušenost s přípravou CdTe a CdZnTe ukázala, že podaří-li se zvládnout technologiipro CdTe, přechod k technologii pro CdZnTe...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2013 - 2016
  • 19 920 tis. Kč
  • 12 948 tis. Kč
  • TA ČR
Projekt

Pasivace povrchů CdTe/CdZnTe detektorů záření. (GA15-05259S)

Širokopásové polovodiče CdTe/CdZnTe se využívají pro výrobu citlivých detektorů rentgenového a gama záření pracujících za pokojové teploty. Výraznějšímu rozšíření těchto detektorů do různých aplikací brání nestabilita jejich elektrických a s...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2015 - 2017
  • 6 647 tis. Kč
  • 6 647 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Příprava elektrických kontaktů na detektorech záření CdTe a CdZnTe (GA16-23165S)

Polovodiče CdTe a CdZnTe jsou vzhledem k řadě unikátních vlastností všeobecně považovány za nejvhodnější materiály pro přípravu nechlazených detektorů rentgenového a gama záření. Jedním z důvodů jejich malého aplikačního využití je nedostate...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2016 - 2018
  • 6 891 tis. Kč
  • 5 670 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Zařízení a technologie pro syntézu nové generace semiizolačních monokrystalů na bázi CdTe pro aplikace ve fotonice a optoelektronice (kvantové detektory rtg. a gama záření). (FV30059)

Cíle projektu jsou zaměřeny na přenos, využití a rozvinutí výsledků základního výzkumu, včetně vyvinutých laboratorních technologických a charakterizačních metodik vedoucích do průmyslového výzkumu a k realizaci: 1) prototypu elektrického strojního ...

Electrical and electronic engineering

  • 2018 - 2021
  • 17 834 tis. Kč
  • 14 078 tis. Kč
  • MPO
Projekt

Vysoce kvalitní semiizolační CdTe pro detektory záření gama (GA102/06/0258)

Zájem o nechlazené přenosné detektory záření gama prudce narostl během posledních let vzhledem k aplikacím při zobrazování s vysokým rozlišením v medicíně a v oblasti bezpečnosti. Cílem projektu je příprava vysoce kvalitních semiizolačních krystalů C...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2006 - 2008
  • 2 038 tis. Kč
  • 2 038 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Vliv inkluzí Te na účinnost radiačních detektorů CdTe a CdZnTe (GAP102/10/0148)

Vysoká účinnost detektorů rentgenova záření na bázi CdTe závisí na  schopnosti sběru náboje generovaném dopadajícím zářením. Inkluze Te, jež jsou přirozenými strukturními defekty přímo spjatými s růstem krystalů, významně limitují lokální úč...

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • 2010 - 2012
  • 2 889 tis. Kč
  • 2 889 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Self-calibrating photodiodes for UV and exploitation of induced junction technology (9B23014)

The overall objective is to demonstrate the use of improved PQED detectors and associated technology as an NMI-on-a-chip in various photonics applications and to develop models and improved detector manufacturing t...

Optics (including laser optics and quantum optics)

  • 2023 - 2026
  • 8 073 tis. Kč
  • 4 038 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Tvorba a charakterizace samoorganizovaných pórů v heterostrukturách InGaP/GaAs. (ME 697)

Vytváření pórovité struktury umožňuje ovlivňovat základní vlastnosti polovodičových materiálů [1]. Porézní struktury A3B5 mají ve srovnání s porézním křemíkem základní výhodu v přímozonné pásové struktuře a možnosti měnit šířku zakázaného pásu.......

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2003 - 2005
  • 7 448 tis. Kč
  • 794 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Struktura defektů v CdTe a (CdZn)Te (ME 394)

Hlavním cílem projektu je nalézt optimální růstové podmínky a režimy chlazení pro produkci vysoce kvalitních monokrystalů s redukovanými koncentracemi přirozených defektů a předem definovanými elektrickými a optickými vlastnostmi optimalizovanými pro...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2000 - 2001
  • 181 tis. Kč
  • 101 tis. Kč
  • MŠMT
  • 1 - 10 z 5 523