Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Filtry

172 (0,09s)

Projekt

Růst nanostruktur/heterostruktur polovodičů A3B5 na mřížkově nepřizpůsobených podložkách (ME 834)

výzkum růstových mechanismů, mikrostruktury elektronových a optických vlastností hetero - a nanostruktur polovodičů A3B5 pěstovaných na strukturně nepřizpůsobených podložkách, korelace struktury a fyzikálních vlastností......

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2006 - 2007
  • 1 118 tis. Kč
  • 200 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Spinově závislý elektronový transport a víry ve strukturách nanometrických rozměrů (OC P5.10)

Vzájemná vazba elektronového spinu s orbitálním momentem ovlivňuje rozptyl elektronů a transportní vlasnosti nanostruktur závisí na spinové polarizaci elektronů. Cílem projektu je vypracovat teoretické modely schopné popsat pozorované vlastnosti.......

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2000 - 2002
  • 6 260 tis. Kč
  • 860 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

On-wafer microwave metrology for future industrial applications (9B24017)

Semiconductor chips are used in many established and emerging applications, e semiconductors. Thus, in order to strengthen the European semiconductor industry and facilitate the development of next-generation semiconductor ...

Electrical and electronic engineering

  • 2024 - 2027
  • 4 893 tis. Kč
  • 2 447 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

UMĚLÉ 2D STRUKTURY PRO APLIKACE V POKROČILÝCH TERMOELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍCH (LUAUS25042)

Cílem navrhovaného projektu je experimentální demonstrace transverzálního Seebeckova efektu, a to v rámci zařízení vytvořeného na základě heterostruktury (GeSe/SnSe).......

Materials engineering

  • 2025 - 2028
  • 7 930 tis. Kč
  • 7 930 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Od grafenových hybridních nanostruktur k ekologické elektronice (LL1301)

Cílem projektu je studium nových principů pro vývoj nových elektronických zařízení s nízkou spotřebou elektrické energie. Ultimátní výzvou projektu je konstrukce bilayer pseudospin field effect transistoru.......

CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

  • 2013 - 2018
  • 39 000 tis. Kč
  • 39 000 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Vývoj nitridových součástek pro energeticky úspornou rychlou výkonovou elektroniku (LTAIN19163)

D1 – návrh heterostruktury pro laterální tranzistory D2 – návrh heterostruktury s vertikální architekturou D3 – návrh geometrie fotolitografických struktur a kontaktů S1a,b – laterální HEMT heterostruktura (dvě verze) a její další zpracování na sou...

Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

  • 2020 - 2022
  • 4 084 tis. Kč
  • 4 084 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Nanophotonics with metal – group-IV-semiconductor nanocomposites From single nanoobjects to functional ensembles (8F15001)

The proposed project aims to fabricate, investigate and model semiconductor-metal composite nanostructures with a unique approach bridging the scales from single nano-objects to ensembles and macroscopic devices. We will study changes of cou...

BH - Optika, masery a lasery

  • 2015 - 2018
  • 3 445 tis. Kč
  • 3 445 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Cílená manipulace povrchů nano-struktur diamantu a jejich charakterizace (MEB0810082)

Rozvinutí spolupráce pro experimentální studium interakce diamantových povrchů s organickými a biologickými molekulami Spolupráce při vývoji a optimalizaci hybridního kompozitu diamant-ZnO Diskuze vědeckých výsledků a nových myšlenek pro společné pub...

JJ - Ostatní materiály

  • 2010 - 2011
  • 82 tis. Kč
  • 82 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Tvorba a charakterizace samoorganizovaných pórů v heterostrukturách InGaP/GaAs. (ME 697)

Vytváření pórovité struktury umožňuje ovlivňovat základní vlastnosti polovodičových materiálů [1]. Porézní struktury A3B5 mají ve srovnání s porézním křemíkem základní výhodu v přímozonné pásové struktuře a možnosti měnit šířku zakázaného pásu.......

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2003 - 2005
  • 7 448 tis. Kč
  • 794 tis. Kč
  • MŠMT
Projekt

Výzkum a vývoj technologií výroby SiC krystalů a desek pro pokročilé elektronické aplikace (EG20_321/0024782)

Cílem projektu je výzkum a vývoj světově konkurenceschopné technologie výroby substrátu karbidu křemíku (SiC) pro pokročilé polovodičové aplikace (MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) s demonstrací kvalifikovanými funk...

Materials engineering

  • 2021 - 2024
  • 66 007 tis. Kč
  • 0 tis. Kč
  • MPO
  • 1 - 10 z 172