Filtry
Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí (GP14-16549P)
Tento projekt se zabývá základním pochopením růstu diamantu na GaN substrátech (AlGaN/GaN na Si nebo safíru a kovových kontaktech). Odlišné metody nukleace kanály a HEMT tranzistory na diamant-GaN heterost...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2014 - 2016 •
- 2 026 tis. Kč •
- 2 026 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2014 - 31. 12. 2016
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu (TH01011284)
- především struktury GaN/AlGaN/AlN/Si. Výzkum a vývoj nových polovodičových součástek založených na materiálech s velkou šířkou zakázaného pásu - především GaN HEMT (High polovodičových materiálů a součástek s ve...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2015 - 2017 •
- 31 897 tis. Kč •
- 18 879 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2015 - 31. 12. 2017
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (59%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Struktury pro rychlé, energeticky úsporné a logické obvody založené na GaN (GA25-18221S)
. Očekávané výsledky projektu slibují důležitá zlepšení v GaN-HEMT technologii. Frekvenční vlastnosti součástek pomůže zlepšit nově navrhovaná morfologie AlGaN/GaN rozhraníElektronika založená na GaN je no...
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2025 - 2027 •
- 6 793 tis. Kč •
- 6 752 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2025 - 31. 12. 2027
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (99%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Výzkum moderních součástek pro globální komunikace (ME 285)
Projekt řeší problematiku formulace indikátoru kvality a spolehlivosti aktivních a pasivních součástek pro globální komunikace. Tyto indikátory jsou určeny na základě transportních charakteristik a šumové spektroskopie. Experimenty budou zaměřeny na ...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 1998 - 2000 •
- 840 tis. Kč •
- 700 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1998 - 1. 1. 2000
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (83%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Vakance atomů kovů, jejich klastry a komplexy v nitridových polovodičích (GF22-28001K)
Snahou tohoto projektu je nalézt závislost koncentrace vakancí ve vrstvách GaN, InGaN, AlGaN a AlInGaN na parametrech přípravy organokovovou epitaxí. Budou definovány technologické podmínky, za kterých dochází ke tvorbě klastrů vaka...
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2022 - 2024 •
- 8 870 tis. Kč •
- 8 576 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2022 - 31. 12. 2024
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (97%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Vysoce účinné regulátory pro vysokootáčkové elektrické stroje (TS02020056)
Cílem projektu je vyvinout vysoce účinný regulátor motorů pro vysokootáčkové průmyslové rotační stroje využívající technologii GaN tranzistorů. Dále je cílem zmenšit počet potřebných obvodových prvků, kdy díky velmi rychlému spínání je možné...
Energy and fuels
- 2025 - 2027 •
- 18 525 tis. Kč •
- 11 111 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 6. 2025 - 31. 12. 2027
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (60%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
GaN for Advanced Power Applications (8A21007)
highly efficient power transistors; 3) Develop a new generation of vertical power GaN based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe power switching up to 1200 V; 4) Develop a new intel...
Electrical and electronic engineering
- 2021 - 2025 •
- 13 745 tis. Kč •
- 8 936 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 6. 2021 - 31. 8. 2025
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (65%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications (9A23004)
O1: Push the limits of industrial GaN devices and system-on-chip approaches for 100V. O2: Leverage the full potential of innovative substrates for GaN. O3: Achieve novel benchmark solutions for lateral GaN devices and integ...
Electrical and electronic engineering
- 2023 - 2026 •
- 40 971 tis. Kč •
- 8 195 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 5. 2023 - 30. 4. 2026
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (20%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications (9A23005)
O1: Push the limits of industrial GaN devices and system-on-chip approaches for 100V. O2: Leverage the full potential of innovative substrates for GaN. O3: Achieve novel benchmark solutions for lateral GaN devices and integ...
Electrical and electronic engineering
- 2023 - 2026 •
- 7 621 tis. Kč •
- 4 954 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 5. 2023 - 30. 4. 2026
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (65%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
GaN for Advanced Power Applications (8A21005)
developed within WinSiC project, including SiC transistors, therefore, the key building block of this demonstrator will be a new power GaN component connected to a wireless GaN chips.......
Electrical and electronic engineering
- 2021 - 2025 •
- 9 081 tis. Kč •
- 1 816 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 6. 2021 - 31. 8. 2025
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (20%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
- 1 - 10 z 50