Filtry
Studium heteroepitaxe kovů na površích Si pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) (GA202/01/0928)
Projekt navazuje na zkoumání epitaxního růstu kovů na povrchu křemíku pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) v rámci grantu 202/97/1109. Hustota, rozdělení, tvary a strukturní detaily ostrůvků vytvořených během epitaxe kovu před vytvořením prvn...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2001 - 2003 •
- 2 192 tis. Kč •
- 993 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2001 - 1. 1. 2003
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (45%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Růst uspořádaných nanostruktur kovů IIIA skupiny na povrchu Si(111)-5x5 (GP202/09/P033)
Studium růstu uspořádaných klastrů kovů IIIA skupiny na povrchu Si(111)-5x5, popis pohybu kovových atomů a nukleace klastrů na povrchu 5x5, Monte Carlo simulace růstu klastrů na povrchu 5x5, nalezení podmínek pro přípravu maximálně uspořádaných kvant...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2009 - 2011 •
- 1 020 tis. Kč •
- 1 020 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2009 - 31. 12. 2011
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Atomistické simulace epitaxního růstu mnohasložkových materiálů (OC P3.130)
Modelování fyzikálních mechanismů během epitaxního růstu technologicky důležitých kovových i polovodičových materiálů pomocí rozsáhlých numerických simulací. Bude vyšetřován vliv příměsí na morfologii a kinetiku růstu a počáteční stadia heteroepitaxn...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1999 - 2001 •
- 2 030 tis. Kč •
- 785 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (39%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Studium atomárních procesů při růstu kovových nanostruktur na površích Si(100) pomocí in-vivo STM (GA202/06/0049)
Projekt se zabývá studiem heteroepitaxe kovů na površích Si na atomární úrovni pomocí rastrovací tunelovací mikroskopie (STM) užitím nové metodiky - přímého pozorování (in-vivo) během depozice. Metoda poskytuje informace o dynamice mikroskop...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2006 - 2008 •
- 1 605 tis. Kč •
- 1 539 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2006 - 31. 12. 2008
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (96%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace (TH02010014)
Cílem projektu je průmyslový výzkum a experimentální vývoj heteroepitaxního růstu nitridových struktur pro polovodičové aplikace: 1) VaV technologie MOCVD pro růst funkčních nitridových struktur na vlastních substrátech průměru až 200 mm. 2) VaV a ch...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2017 - 2020 •
- 28 119 tis. Kč •
- 16 819 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2017 - 30. 9. 2020
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (60%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Mnohoúrovňová teorie povrchových slitin a nehomogenit na površích pevných látek (GA202/09/0775)
pro fotovoltaické články; (iii) vytváření a stabilita struktur při heteroepitaxi...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2009 - 2012 •
- 3 572 tis. Kč •
- 3 572 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2009 - 31. 12. 2012
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Laboratoř fyziky tenkých vrstev a povrchů (VS97116)
Náplní předpokládaného projektu je vytvoření LABORATOŘE FYZIKY TENKÝCH VRSTEV A POVRCHÚ, jejíž činností bude studium růstu a vlastnosti heteroepitaxních tenkých vrstev připravovaných depozicí molekulárním svazkem (MBE) v podmínkách ultravysokého vaku...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1997 - 2000 •
- 22 902 tis. Kč •
- 14 486 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1997 - 1. 1. 2000
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (63%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Kompenzace neizoperiodičnosti v heteropřechodech na mikro a nanoporézních polovodičích A3B5 a depozice kovů a polovodičů do mikropórů (GAP108/10/0253)
Navrhovaný projekt se zaměří na epitaxní růst heterostruktur s velkým mřížkovým nepřizpůsobením na porézních substrátech polovodičů A3B5 a na depozici kovových a polovodičových materiálů do mikropórů. Příprava vysoce kvalitních mřížkově nepřizpůsoben...
JJ - Ostatní materiály
- 2010 - 2012 •
- 2 431 tis. Kč •
- 2 431 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2010 - 31. 12. 2012
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
- 1 - 8 z 8