Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00177016%3A_____%2F22%3AN0000014" target="_blank" >RIV/00177016:_____/22:N0000014 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216224:14310/22:00125428

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.3390/nano12040719" target="_blank" >https://doi.org/10.3390/nano12040719</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.3390/nano12040719" target="_blank" >10.3390/nano12040719</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots

Popis výsledku v původním jazyce

Permanent electric dipole is a key property for effective control of semiconductor quantum-dot-based sources of quantum light. For theoretical prediction of that, complex geometry-dependent quantum simulations are necessary. Here, we use k⋅p simulations of exciton transition in InGaAs quantum dots to derive a simple geometry-dependent analytical model of dipole. Our model, discussed here, enables reasonably good estimation of the electric dipole, caused in quantum dot by the elastic strain, including an externally induced one. Due to its apparent simplicity, not necessitating elaborate and time-consuming simulations, it might after experimental verification serve as a preferred choice for experimentalists enabling them to make quick estimates of built-in and induced electric dipole in quantum dots.

Název v anglickém jazyce

Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots

Popis výsledku anglicky

Permanent electric dipole is a key property for effective control of semiconductor quantum-dot-based sources of quantum light. For theoretical prediction of that, complex geometry-dependent quantum simulations are necessary. Here, we use k⋅p simulations of exciton transition in InGaAs quantum dots to derive a simple geometry-dependent analytical model of dipole. Our model, discussed here, enables reasonably good estimation of the electric dipole, caused in quantum dot by the elastic strain, including an externally induced one. Due to its apparent simplicity, not necessitating elaborate and time-consuming simulations, it might after experimental verification serve as a preferred choice for experimentalists enabling them to make quick estimates of built-in and induced electric dipole in quantum dots.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nanomaterials

ISSN

2079-4991

e-ISSN

—

Svazek periodika

12

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000827839900001

EID výsledku v databázi Scopus

—