Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00177016%3A_____%2F22%3AN0000014" target="_blank" >RIV/00177016:_____/22:N0000014 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216224:14310/22:00125428
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.3390/nano12040719" target="_blank" >https://doi.org/10.3390/nano12040719</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.3390/nano12040719" target="_blank" >10.3390/nano12040719</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots
Popis výsledku v původním jazyce
Permanent electric dipole is a key property for effective control of semiconductor quantum-dot-based sources of quantum light. For theoretical prediction of that, complex geometry-dependent quantum simulations are necessary. Here, we use k⋅p simulations of exciton transition in InGaAs quantum dots to derive a simple geometry-dependent analytical model of dipole. Our model, discussed here, enables reasonably good estimation of the electric dipole, caused in quantum dot by the elastic strain, including an externally induced one. Due to its apparent simplicity, not necessitating elaborate and time-consuming simulations, it might after experimental verification serve as a preferred choice for experimentalists enabling them to make quick estimates of built-in and induced electric dipole in quantum dots.
Název v anglickém jazyce
Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots
Popis výsledku anglicky
Permanent electric dipole is a key property for effective control of semiconductor quantum-dot-based sources of quantum light. For theoretical prediction of that, complex geometry-dependent quantum simulations are necessary. Here, we use k⋅p simulations of exciton transition in InGaAs quantum dots to derive a simple geometry-dependent analytical model of dipole. Our model, discussed here, enables reasonably good estimation of the electric dipole, caused in quantum dot by the elastic strain, including an externally induced one. Due to its apparent simplicity, not necessitating elaborate and time-consuming simulations, it might after experimental verification serve as a preferred choice for experimentalists enabling them to make quick estimates of built-in and induced electric dipole in quantum dots.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanomaterials
ISSN
2079-4991
e-ISSN
—
Svazek periodika
12
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000827839900001
EID výsledku v databázi Scopus
—