Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00177016%3A_____%2F22%3AN0000014" target="_blank" >RIV/00177016:_____/22:N0000014 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216224:14310/22:00125428

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.3390/nano12040719" target="_blank" >https://doi.org/10.3390/nano12040719</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.3390/nano12040719" target="_blank" >10.3390/nano12040719</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Permanent electric dipole is a key property for effective control of semiconductor quantum-dot-based sources of quantum light. For theoretical prediction of that, complex geometry-dependent quantum simulations are necessary. Here, we use k⋅p simulations of exciton transition in InGaAs quantum dots to derive a simple geometry-dependent analytical model of dipole. Our model, discussed here, enables reasonably good estimation of the electric dipole, caused in quantum dot by the elastic strain, including an externally induced one. Due to its apparent simplicity, not necessitating elaborate and time-consuming simulations, it might after experimental verification serve as a preferred choice for experimentalists enabling them to make quick estimates of built-in and induced electric dipole in quantum dots.

  • Název v anglickém jazyce

    Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots

  • Popis výsledku anglicky

    Permanent electric dipole is a key property for effective control of semiconductor quantum-dot-based sources of quantum light. For theoretical prediction of that, complex geometry-dependent quantum simulations are necessary. Here, we use k⋅p simulations of exciton transition in InGaAs quantum dots to derive a simple geometry-dependent analytical model of dipole. Our model, discussed here, enables reasonably good estimation of the electric dipole, caused in quantum dot by the elastic strain, including an externally induced one. Due to its apparent simplicity, not necessitating elaborate and time-consuming simulations, it might after experimental verification serve as a preferred choice for experimentalists enabling them to make quick estimates of built-in and induced electric dipole in quantum dots.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nanomaterials

  • ISSN

    2079-4991

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    12

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000827839900001

  • EID výsledku v databázi Scopus