Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Development of defects in the structure of PIN dosimetry diodes exposed to gamma radiation

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11110%2F13%3A10191147" target="_blank" >RIV/00216208:11110/13:10191147 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21220/13:00214501 RIV/68407700:21670/13:00214501

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2013.05.175" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2013.05.175</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2013.05.175" target="_blank" >10.1016/j.nima.2013.05.175</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Development of defects in the structure of PIN dosimetry diodes exposed to gamma radiation

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Studies of radiation induced defects continue to be relevant as they find an ever greater application due to the increasing radiation doses to which semiconductor detectors are exposed. Efforts of figuring out the changes due to high radiation doses provide the fundamental motivation for this type of experiments. The PIN diode is described, and a developmental disorder caused thereto by 60Co source gamma quanta ranging from 100 kGy to 1 EV1Gy. The calibration curve shows the effect of disturbances on the volt-ampere characteristics as a function of the close of gamma radiation. The results are compared with earlier published data

  • Název v anglickém jazyce

    Development of defects in the structure of PIN dosimetry diodes exposed to gamma radiation

  • Popis výsledku anglicky

    Studies of radiation induced defects continue to be relevant as they find an ever greater application due to the increasing radiation doses to which semiconductor detectors are exposed. Efforts of figuring out the changes due to high radiation doses provide the fundamental motivation for this type of experiments. The PIN diode is described, and a developmental disorder caused thereto by 60Co source gamma quanta ranging from 100 kGy to 1 EV1Gy. The calibration curve shows the effect of disturbances on the volt-ampere characteristics as a function of the close of gamma radiation. The results are compared with earlier published data

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BO - Biofyzika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LA08032" target="_blank" >LA08032: Mezinárodní experiment ATLAS-CERN</a><br>

  • Návaznosti

    V - Vyzkumna aktivita podporovana z jinych verejnych zdroju

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment

  • ISSN

    0168-9002

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    730

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2013

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    146-148

  • Kód UT WoS článku

    000326944100030

  • EID výsledku v databázi Scopus