Single Layer Molybdenum Disulfide under Direct Out-of-Plane Compression: Low-Stress Band-Gap Engineering

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11310%2F15%3A10294790" target="_blank" >RIV/00216208:11310/15:10294790 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61388955:_____/15:00443984

Výsledek na webu

<a href="http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.nanolett.5b00229" target="_blank" >http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.nanolett.5b00229</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b00229" target="_blank" >10.1021/acs.nanolett.5b00229</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Single Layer Molybdenum Disulfide under Direct Out-of-Plane Compression: Low-Stress Band-Gap Engineering

Popis výsledku v původním jazyce

Tuning the electronic structure of 2D materials is a very powerful asset toward tailoring their properties to suit the demands of future applications in optoelectronics. Strain engineering is one of the most promising methods in this regard. We demonstrate that even very small out-of-plane axial compression readily modifies the electronic structure of monolayer MoS2. As we show through in situ resonant and nonresonant Raman spectroscopy and photoluminescence measurements combined with theoretical calculations, the transition from direct to indirect band gap semiconductor takes place at TILDE OPERATOR+D910.5 GPa, and the transition to a semimetal occurs at stress smaller than 3 GPa.

Název v anglickém jazyce

Single Layer Molybdenum Disulfide under Direct Out-of-Plane Compression: Low-Stress Band-Gap Engineering

Popis výsledku anglicky

Tuning the electronic structure of 2D materials is a very powerful asset toward tailoring their properties to suit the demands of future applications in optoelectronics. Strain engineering is one of the most promising methods in this regard. We demonstrate that even very small out-of-plane axial compression readily modifies the electronic structure of monolayer MoS2. As we show through in situ resonant and nonresonant Raman spectroscopy and photoluminescence measurements combined with theoretical calculations, the transition from direct to indirect band gap semiconductor takes place at TILDE OPERATOR+D910.5 GPa, and the transition to a semimetal occurs at stress smaller than 3 GPa.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nano Letters

ISSN

1530-6984

e-ISSN

—

Svazek periodika

15

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

3139-3146

Kód UT WoS článku

000354906000055

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84929380204