Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Dual-Defect Donor-Acceptor Pairing in Metal Oxide Semiconductors for Enhanced CO2 Photoreduction

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11310%2F25%3A10505485" target="_blank" >RIV/00216208:11310/25:10505485 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=I-rhilsKx9" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=I-rhilsKx9</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c04671" target="_blank" >10.1021/acs.nanolett.5c04671</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Dual-Defect Donor-Acceptor Pairing in Metal Oxide Semiconductors for Enhanced CO2 Photoreduction

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Defect engineering has emerged as a powerful approach to enhance the photocatalytic activity of metal oxides, yet the role of oxygen vacancies, commonly regarded as the Shockley-Read-Hall charge recombination centers, remains controversial. Taking bismuth oxybromide (BiOBr) as a prototypical photocatalyst, we demonstrate a dual-defect strategy incorporating both surface Br (V-Br) and bulk O (V-O) vacancies to suppress recombination and enhance CO2 reduction. While the V-O alone results in significant charge losses, the V-Br improves CO2 adsorption and lowers its LUMO to effectively capture photoexcited electrons from the V-O-induced defect state for the subsequent reaction. Formation of a donor-acceptor pair between the CO2 LUMO and the valence band maximum facilitates long-lived charge separation due to weak nonadiabatic coupling. The strategy extends to vacancy-transition metal doping, further lowering reaction barriers and advancing defect engineering principles. The study provides a comprehensive understanding of defect-dependent photocatalytic reactions, forming a basis for defect engineering in photocatalysis.

  • Název v anglickém jazyce

    Dual-Defect Donor-Acceptor Pairing in Metal Oxide Semiconductors for Enhanced CO2 Photoreduction

  • Popis výsledku anglicky

    Defect engineering has emerged as a powerful approach to enhance the photocatalytic activity of metal oxides, yet the role of oxygen vacancies, commonly regarded as the Shockley-Read-Hall charge recombination centers, remains controversial. Taking bismuth oxybromide (BiOBr) as a prototypical photocatalyst, we demonstrate a dual-defect strategy incorporating both surface Br (V-Br) and bulk O (V-O) vacancies to suppress recombination and enhance CO2 reduction. While the V-O alone results in significant charge losses, the V-Br improves CO2 adsorption and lowers its LUMO to effectively capture photoexcited electrons from the V-O-induced defect state for the subsequent reaction. Formation of a donor-acceptor pair between the CO2 LUMO and the valence band maximum facilitates long-lived charge separation due to weak nonadiabatic coupling. The strategy extends to vacancy-transition metal doping, further lowering reaction barriers and advancing defect engineering principles. The study provides a comprehensive understanding of defect-dependent photocatalytic reactions, forming a basis for defect engineering in photocatalysis.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10403 - Physical chemistry

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EH22_010%2F0008820" target="_blank" >EH22_010/0008820: MSCA Fellowships CZ - UK3</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2025

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nano Letters

  • ISSN

    1530-6984

  • e-ISSN

    1530-6992

  • Svazek periodika

    25

  • Číslo periodika v rámci svazku

    46

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    16507-16514

  • Kód UT WoS článku

    001609350200001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-105022162664