Room temperature electric field induced crystallization of wide band gap hydrogenated amorphous silicon

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F01%3A00105396" target="_blank" >RIV/00216208:11320/01:00105396 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Room temperature electric field induced crystallization of wide band gap hydrogenated amorphous silicon
Popis výsledku v původním jazyce
Room temperature electric field induced crystallization of wide band gap hydrogenated amorphous silicon
Název v anglickém jazyce
Room temperature electric field induced crystallization of wide band gap hydrogenated amorphous silicon
Popis výsledku anglicky
Room temperature electric field induced crystallization of wide band gap hydrogenated amorphous silicon

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F98%2F0669" target="_blank" >GA202/98/0669: Nanostrukturní polovodičové materiály - zdokonalení technologie, cílené změny elektronických a optických vlastností</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku