Method of surface photovoltage extended to silicon wafers and solar cells of arbitrary thickness
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F01%3A00105672" target="_blank" >RIV/00216208:11320/01:00105672 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Method of surface photovoltage extended to silicon wafers and solar cells of arbitrary thickness
Popis výsledku v původním jazyce
Method of surface photovoltage extended to silicon wafers and solar cells of arbitrary thickness
Název v anglickém jazyce
Method of surface photovoltage extended to silicon wafers and solar cells of arbitrary thickness
Popis výsledku anglicky
Method of surface photovoltage extended to silicon wafers and solar cells of arbitrary thickness
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F99%2F0414" target="_blank" >GA102/99/0414: Materiály a struktury pro elektronické a optoelektronické součástky připravované metodou MOVPE</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
17th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
13
Strana od-do
1-13
Název nakladatele
-
Místo vydání
Germany
Místo konání akce
Germany
Datum konání akce
1. 1. 2001
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—