High temperature electron and hole mobility in CdTe
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F02%3A00003206" target="_blank" >RIV/00216208:11320/02:00003206 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High temperature electron and hole mobility in CdTe
Popis výsledku v původním jazyce
High temperature electron and hole mobility in CdTe
Název v anglickém jazyce
High temperature electron and hole mobility in CdTe
Popis výsledku anglicky
High temperature electron and hole mobility in CdTe
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA106%2F01%2F0648" target="_blank" >GA106/01/0648: Laserová modifikace povrchových vrstev polovodičů typu II-VI a její počítačová simulace</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Semiconductors Science and Technology
ISSN
0268-1242
e-ISSN
—
Svazek periodika
17
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
1064-1066
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—