Elastic Electron Backscattering from Silicon Surfaces: Effect of Carrier Concentration

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F02%3A00003595" target="_blank" >RIV/00216208:11320/02:00003595 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Elastic Electron Backscattering from Silicon Surfaces: Effect of Carrier Concentration

Popis výsledku v původním jazyce

Elastic Electron Backscattering from Silicon Surfaces: Effect of Carrier Concentration

Název v anglickém jazyce

Elastic Electron Backscattering from Silicon Surfaces: Effect of Carrier Concentration

Popis výsledku anglicky

Elastic Electron Backscattering from Silicon Surfaces: Effect of Carrier Concentration

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

IMPF workshop, Czech Republic 2002, Program booklet

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

0-0

Název nakladatele

neuveden

Místo vydání

Prague

Místo konání akce

Prague

Datum konání akce

1. 1. 2002

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—