High Temperature Defect Structure of Cd- and Te-Rich CdTe
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F02%3A00003836" target="_blank" >RIV/00216208:11320/02:00003836 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High Temperature Defect Structure of Cd- and Te-Rich CdTe
Popis výsledku v původním jazyce
High Temperature Defect Structure of Cd- and Te-Rich CdTe
Název v anglickém jazyce
High Temperature Defect Structure of Cd- and Te-Rich CdTe
Popis výsledku anglicky
High Temperature Defect Structure of Cd- and Te-Rich CdTe
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA106%2F01%2F0648" target="_blank" >GA106/01/0648: Laserová modifikace povrchových vrstev polovodičů typu II-VI a její počítačová simulace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2001 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record (CD ROM)
ISBN
0-7803-7326-X
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
1-5
Název nakladatele
The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Místo vydání
San Diego
Místo konání akce
San Diego
Datum konání akce
1. 1. 2002
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—