Defect Structure of High Resistive CdTe:In Prepared by Vertical Gradient Freeze Method

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F03%3A00002063" target="_blank" >RIV/00216208:11320/03:00002063 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Defect Structure of High Resistive CdTe:In Prepared by Vertical Gradient Freeze Method

Popis výsledku v původním jazyce

Defect Structure of High Resistive CdTe:In Prepared by Vertical Gradient Freeze Method

Název v anglickém jazyce

Defect Structure of High Resistive CdTe:In Prepared by Vertical Gradient Freeze Method

Popis výsledku anglicky

Defect Structure of High Resistive CdTe:In Prepared by Vertical Gradient Freeze Method

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

13th International Workshop on Room Temperature Semiconductor X- and Gamma ray Detectors, Compact disc proceedings

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1-5

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Portland, Oregon

Místo konání akce

Portland, Oregon

Datum konání akce

1. 1. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—