Structure and properties of silicon thin films deposited at low substrate temperatures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F03%3A00002228" target="_blank" >RIV/00216208:11320/03:00002228 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/03:02030495 RIV/61389005:_____/03:02030495

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Structure and properties of silicon thin films deposited at low substrate temperatures

Popis výsledku v původním jazyce

Structure and properties of silicon thin films deposited at low substrate temperatures

Název v anglickém jazyce

Structure and properties of silicon thin films deposited at low substrate temperatures

Popis výsledku anglicky

Structure and properties of silicon thin films deposited at low substrate temperatures

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Japanese Journal of Applied Physics

ISSN

0021-4922

e-ISSN

—

Svazek periodika

42

Číslo periodika v rámci svazku

8B

Stát vydavatele periodika

JP - Japonsko

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

"L987"-"L989"

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—