Growth-rate induced defects in GaSb

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F04%3A00003032" target="_blank" >RIV/00216208:11320/04:00003032 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Growth-rate induced defects in GaSb

Popis výsledku v původním jazyce

Growth-rate induced defects in GaSb

Název v anglickém jazyce

Growth-rate induced defects in GaSb

Popis výsledku anglicky

Growth-rate induced defects in GaSb

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

The 5th Int. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

259-262

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Smolenice

Místo konání akce

Smolenice

Datum konání akce

1. 1. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—