Rtg difrakce s vysokým rozlišením na implantovaných křemíkových krystalech
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F04%3A00003196" target="_blank" >RIV/00216208:11320/04:00003196 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High-Resolution X-Ray Diffraction on Implanted Silicon Single Crystals
Popis výsledku v původním jazyce
High-Resolution X-Ray Diffraction on Implanted Silicon Single Crystals
Název v anglickém jazyce
High-Resolution X-Ray Diffraction on Implanted Silicon Single Crystals
Popis výsledku anglicky
High-Resolution X-Ray Diffraction on Implanted Silicon Single Crystals
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
7th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, Book of Abstracts, September 7-10, 2004,
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
1
Strana od-do
"P76"-"P76"
Název nakladatele
Krystalografická společnost
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
1. 1. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—