Vliv vrstev nitridu křemíku na difúzní délku minoritních nosičů v Si

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F06%3A00002748" target="_blank" >RIV/00216208:11320/06:00002748 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/06:00082822 RIV/44555601:13440/06:00003276
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length in c-Si Wafers
Popis výsledku v původním jazyce
Effect of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length in c-Si Wafers
Název v anglickém jazyce
Effect of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length in c-Si Wafers
Popis výsledku anglicky
Effect of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length in c-Si Wafers

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku