Vliv vrstev nitridu křemíku na difúzní délku minoritních nosičů v Si

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/00216208:11320/06:00002748 - isvavai.cz

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985882:_____/06:00082822 RIV/44555601:13440/06:00003276

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length in c-Si Wafers

Popis výsledku v původním jazyce

Effect of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length in c-Si Wafers

Název v anglickém jazyce

Effect of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length in c-Si Wafers

Popis výsledku anglicky

Effect of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length in c-Si Wafers

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

100

Číslo periodika v rámci svazku

113716

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

1-6

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—