Žíhaný semiizolační p-typový InP pěstovaný Czochralského metodou s Cu v tavenině

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F06%3A00005601" target="_blank" >RIV/00216208:11320/06:00005601 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Annealed semi-insulating p-type InP grown by the Czochralski technique with Cu in the melt

Popis výsledku v původním jazyce

Annealed semi-insulating p-type InP grown by the Czochralski technique with Cu in the melt

Název v anglickém jazyce

Annealed semi-insulating p-type InP grown by the Czochralski technique with Cu in the melt

Popis výsledku anglicky

Annealed semi-insulating p-type InP grown by the Czochralski technique with Cu in the melt

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

21

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1256-1260

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—